矩形腔室磁控濺射鍍膜儀是一種利用磁控濺射技術(shù)進(jìn)行薄膜沉積的高精度設(shè)備。其核心原理是通過在真空環(huán)境下，利用高能離子轟擊靶材，使靶材原子或分子濺射出來并沉積在基片表面，形成均勻的薄膜。該設(shè)備采用矩形腔室設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)緊湊，且配備過渡艙，便于樣品的裝載和卸載，減少對(duì)主腔室真空環(huán)境的干擾，提高鍍膜效率和質(zhì)量。

過渡艙的設(shè)計(jì)使得設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)，特別適用于需要高真空環(huán)境和多批次處理的鍍膜工藝.

磁控濺射鍍膜儀應(yīng)用領(lǐng)域：

1.光學(xué)薄膜

用于制備增透膜、反射膜、濾光片等光學(xué)器件。

應(yīng)用于鏡頭、激光器、太陽能電池等領(lǐng)域。

2.電子器件

用于半導(dǎo)體器件、集成電路、顯示面板（如OLED、LCD）的金屬或介質(zhì)薄膜沉積。

制備導(dǎo)電層、絕緣層或保護(hù)層。

3.裝飾與功能性涂層

用于手表、手機(jī)外殼等裝飾性鍍膜（如金屬光澤、彩色涂層）。

功能性涂層如耐磨、耐腐蝕、防指紋等。

4.能源領(lǐng)域

用于太陽能電池、燃料電池的電極或催化層制備。

薄膜鋰電池的電極材料沉積。

5.科研領(lǐng)域

用于新材料開發(fā)、薄膜性能研究（如磁性薄膜、超導(dǎo)薄膜等）。

磁控濺射鍍膜儀產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：

1.高效率

Load-Lock系統(tǒng)顯著縮短了樣品更換時(shí)間，提高了設(shè)備利用率。

2.高薄膜質(zhì)量

真空度高，污染少，薄膜純度高，附著力強(qiáng)。

均勻性好，適合大面積鍍膜。

3.多功能性

支持多種靶材（金屬、合金、陶瓷等）和反應(yīng)氣體，可制備多種功能薄膜。

兼容DC、RF等多種濺射模式。

4.自動(dòng)化與智能化

配備先進(jìn)的控制系統(tǒng)，支持參數(shù)預(yù)設(shè)、過程監(jiān)控和數(shù)據(jù)記錄。

操作簡(jiǎn)便，適合科研和工業(yè)生產(chǎn)。

5.可靠性高

設(shè)備結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，維護(hù)成本低，使用壽命長(zhǎng)。

6.環(huán)保與**

采用封閉式設(shè)計(jì)，減少氣體泄漏和環(huán)境污染。

符合工業(yè)**標(biāo)準(zhǔn)。

磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	矩形腔室磁控濺射鍍膜儀帶過渡艙
Load Lock腔體	? 300 *180 mm
磁控DC濺射電源	Max. 500W
樣品臺(tái)	8英寸樣品臺(tái)。可以實(shí)現(xiàn)樣品臺(tái)自動(dòng)上下升降（可調(diào)范圍不低于40mm），以及樣品臺(tái)的旋轉(zhuǎn)（速度 0-60 RPM可調(diào)）
流量計(jì)	100 SCCM Ar/N2
靶槍數(shù)量	2個(gè)3英寸靶槍，配備獨(dú)立擋板
泵組抽速	>7m3/h 干泵+250 L/S 分子泵